Использование стереомикроскопа SZX12 от компании Sunny Optical для контроля микроструктуры

Первые ассоциации с фразой «исследования при помощи стереомикроскопа», которые у нас возникают – изучение объемных объектов с развитой топографией поверхности при относительно небольших увеличениях. К таким исследованиям относятся:

• контроль изломов материалов после механических испытаний;

• контроль качества сварных швов;

• контроль качества поверхностного монтажа или поиск вышедших из строя элементов печатной платы;

• макроструктура образцов.

Вышеперечисленные сферы применения, действительно, являются основными для стереомикроскопов по ряду причин: большая глубина резкости получаемого изображения, стереоскопический эффект, большое рабочее расстояние объективов, достаточное увеличение. Эти характеристики обусловлены оптической схемой микроскопов. Стереомикроскопы могут быть выполнены по схеме Грену (2 раздельных оптических канала, разнесенных под определенным углом, рис.1) или по схеме Галилея (оптическая система с параллельными оптическими каналами и общим объективом, рис.2).

В качестве источников освещения для стереомикроскопов, в основном, используют источники косого освещения (кольцевые осветители или гибкие световоды). Однако, оптическая схема Галилея позволяет расширить функционал стереомикроскопов за счет использования еще одного типа источника освещения - коаксиального. Блок коаксиального освещения позволяет освещать исследуемый объект светом, проходящим через объектив, существенно уменьшая углы падения света на образец по сравнению с источниками косого освещения. Данный метод освещения соответствует методу светлого поля, что позволяет проводить исследования микроструктуры плоских образцов.

Микроскоп SZX12 от компании Sunny Optical построен по схеме Галилея и также может быть дооснащен блоком коаксиального освещения. Таким образом, микроскоп SZX12 может являться универсальным инструментом для исследования различных объектов.

Примеры исследования микроструктуры образцов при использовании коаксиального освещения:

1. Структура на полупроводниковой пластине, коаксиальное освещение (рис.3).
   
   

2. Структура на полупроводниковой пластине, косое освещение (рис.4).
   
   

3. Микроструктура композитного материала, коаксиальное освещение (рис.5).
   
   

4. Микроструктура композитного материала, косое освещение (рис.6).
   
   

5. Микроструктура цементированного слоя образца из стали, коаксиальное освещение (рис.7).
   
   

6. Микроструктура цементированного слоя образца из стали, косое освещение (рис.8).