Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) занимает ведущую позицию среди методов исследования материалов на субатомарном уровне. Технология позволяет достичь разрешения до 0,1-0,2 нм, что на несколько порядков превосходит возможности оптических приборов. Это делает ПЭМ критически важным инструментом для фундаментальной и прикладной науки в таких областях как металловедение, микроэлектроника, нанотехнологии, биология, медицина и многих других.
Исторически просвечивающая микроскопия развивалась параллельно со сканирующей электронной микроскопией, но благодаря способности анализировать внутреннюю структуру образцов, она обеспечивает информацию, недоступную другим методам. Сегодня ПЭМ - это стандартный инструмент в лабораториях ведущих мировых компаний и научных учреждений.
Основу ПЭМ составляет электронный источник, генерирующий когерентный пучок электронов высокой энергии. В современных приборах используются три типа катодов:
Электромагнитные линзы фокусируют ускоренный электронный пучок аналогично стеклянным линзам в оптическом микроскопе. Система конденсорных линз создает тонко сфокусированный параллельный пучок необходимого диаметра. Объективная линза формирует первое изображение образца с увеличением в несколько сотен раз. Она определяет разрешающую способность прибора - критерий ее качества. Современные объективы имеют фокусное расстояние несколько миллиметров при коротких рабочих расстояниях (несколько микрометров). Проекционные линзы (промежуточная и проекционная) обеспечивают окончательное увеличение вплоть до 2 000 000×. Система фокусировки и стигматизации автоматизирована, а апертуры, как правило, моторизованы апертурами и диафрагмами.
При прохождении через образец электроны испытывают упругое и неупругое рассеяние. Упруго рассеянные электроны сохраняют почти всю свою энергию, но меняют направление движения. Неупруго рассеянные электроны теряют энергию, возбуждая электроны в образце или передавая энергию ядрам атомов.
Контрастное изображение формируется благодаря:
Энерго-дисперсионные спектрометры обеспечивают высокопрецизионный элементный анализ материалов. Спектрометры потерь энергии (EELS) анализируют энергетические потери электронов, определяя химический состав, валентность элементов и локальную электронную структуру.
Режим светлого поля (BF) - наиболее распространенный, использует только неотклоненный пучок для формирования изображения. Обеспечивает контраст за счет амплитуды рассеяния.
Режим темного поля (DF) - в диафрагму объектива попадает только рассеянный пучок, что усиливает контраст от кристаллических дефектов и малых частиц.
Дифракционный режим - вместо изображения получают дифракционный паттерн, содержащий информацию о кристаллической структуре, периодах решетки и ориентации кристаллитов.
СПЭМ (сканирующая просвечивающая электронная микроскопия) - электронный пучок сканирует образец, как в СЭМ. Позволяет одновременно получать изображение в светлом, темном и высокоуговом темном поле в композиционном контрасте для элементного анализа.
Крио-режим - образец охлаждается до температуры жидкого азота или гелия, предотвращая повреждение чувствительных к излучению объектов.
In-situ режимы - специальные держатели позволяют проводить нагрев, охлаждение, механическую деформацию, электрохимические реакции непосредственно в микроскопе.
Компания "Melytec" имеет в продуктовой линейке два типа ПЭМ, TM-12B для решения задач биологии и медицины и ТМ-12M для материаловедения.
Это универсальный прибор с диапазоном ускоряющих напряжений 10-120 кВ, оборудован термополевым катодом Шоттки, обеспечивающим разрешение не хуже 0,25-0,3 нм. Компактная конструкция позволяет установку в стандартном помещении. Столик имеет пять степеней свободы (X, Y, Z, наклон по двум осям). Апертуры моторизованы, управление прибором полностью автоматизировано. Интегрированная система автофокусировки и цифровой обработки изображений значительно упрощает работу оператора.
Опции включают СПЭМ детектор, криодержатель для замороженных образцов, спектрометр EDS для элементного анализа, камеру 4K для высокоскоростной регистрации.
В 3 квартале 2026 года ожидается релиз двухсоткиловольтного ПЭМ высокого разрешения.
Определение размера и морфологии наноструктур, анализ границ зерен, выявление дислокаций и точечных дефектов. Дифракция определяет кристаллические фазы и их кристаллографическую ориентацию. EELS анализирует электронную структуру, позволяя изучать локальные свойства материала с пространственным разрешением менее 1 нм.
Жаропрочные сплавы, композиты с углеродными волокнами, композиты на основе керамики - все требуют ПЭМ-анализа для связи микроструктуры с механическими свойствами.
Контроль толщины слоев (менее 1 нм), расстояния между структурами (2-3 нм в современных чипах), распределения легирующих примесей. СПЭМ и ЭДС позволяют построить карты элементного распределения с разрешением на уровне нескольких атомов.
Анализ дефектов (дислокации, вакансии, примесные атомы), вызывающих утечку тока и отказы приборов.
Синтезированные наночастицы, квантовые точки, углеродные нанотрубки - все требуют визуализации для контроля размера, формы, кристаллической структуры. ПЭМ выявляет агломерацию, определяет однородность по размерам и составу.
В ПЭМ широко используются как методы анализа единичных частиц (SPA), так и мультимасштабные объёмные исследования срезов. Это позволяет исследовать белковые комплексы, вирусы, бактериофаги, клетки, ткани. Получаемые объемные реконструкции раскрывают механизм действия молекул.
Контроль наночастиц для доставки лекарств (липосомы, полимерные наночастицы), оценка стабильности при хранении.
ПЭМ определяет размер активных наночастиц и их дисперсность — ключевые параметры эффективности катализаторов на основе благородных металлов для топливных элементов и химических реакций.
При контроле качества батарей анализ изменений в электродах при циклировании и выявление причин деградации.
В солнечных элементах контроль наноструктуры перовскитов и гетероструктур.
Микровключения в минералах, размеры зерен редких фаз, соотношение кристаллических и аморфных компонентов. ПЭМ выявляет микроструктурные особенности, свидетельствующие об условиях кристаллизации горных пород.
Развитие вычислительных методов позволяет полностью автоматизировать анализ ПЭМ-изображений. Машинное обучение классифицирует дефекты, определяет типы структур, предсказывает свойства материалов по микрофотографиям.
4D-томография (три пространственные координаты плюс энергия) интегрирует информацию EELS с объемной реконструкцией структуры.
Просвечивающая электронная микроскопия останется незаменимым инструментом фундаментальной науки и инженерии материалов, непрерывно раскрывая секреты микромира для решения макроскопических проблем.
Приходите к нам в демозал с образцами и лично убедитесь в высоком качестве предлагаемого оборудования.
Мы можем провести для Вас online демонстрацию работы оборудования
Ваше обращение принято,
в ближайшее время с Вами свяжется
наш специалист