Сегнетоэлектрические полупроводниковые материалы обладают большим потенциалом для разработки новых маломощных электронных устройств и энергонезависимой памяти благодаря самополяризации и возможностям энергонезависимого хранения. Однако одновременное достижение сильных сегнетоэлектрических и превосходных полупроводниковых свойств в одном и том же тонкопленочном материале является огромной проблемой.
Традиционно сегнетоэлектрические материалы делятся на изоляторы и полупроводники, в зависимости от энергии запрещенной зоны.
Исследовательская группа Университета Фудань использовала стилусный профилометр компании ZEPTOOLS серии JS100 для проведения углубленных исследований. Команда успешно получила сегнетоэлектрические полупроводниковые пленки путем включения 2-метилбензимидазола (MBI) в полупроводниковые пленки на основе перовскита на основе Sn (93,3 мол.% (FA0.86Cs0.14) SnI3 и 6,7 мол.% PEA2SnI4). Соответствующие результаты были опубликованы в журнале Nature Communications под названием “Возникновение сегнетоэлектричества в полупроводниковых пленках перовскита на основе Sn путем молекулярной реорганизации иминазолом".
Основное исследовательское содержание диссертации сосредоточено на придании сильных сегнетоэлектрических свойств полупроводниковым пленкам на основе перовскита на основе Sn методом молекулярной реконструкции с целью получения материала, обладающего как превосходными полупроводниковыми, так и значительными сегнетоэлектрическими свойствами. Введение молекул MBI не только повышает кристалличность материала, но и приводит к нарушению пространственной симметрии за счет образования прочных водородных связей, так что центры положительного и отрицательного заряда больше не перекрываются, тем самым создавая прочный железный электрод.
Подводя итог, использование современного исследовательского оборудования от компании ZEPTOOLS, не только обеспечивает эффективную стратегию реализации сегнетоэлектрических свойств тонких пленок полупроводниковых перовскитов на основе Sn, но и раскрывает микроскопический механизм свойств материалов, посредством систематических экспериментов и теоретического анализа, закладывая прочную основу для разработки новых электронных устройств с низким энергопотреблением и энергонезависимой памяти.
Подробнее о стилусных профилометрах.
